众所周知石的形成环境一般为压力在4.5-6.0Gpa(相当于150-200km的深度），温度为1100-1500摄氏度的地球深度。 聪明的科学家就思考，既然已经知道钻石的生产环境，为什么不利用现代的发达科技条件模拟钻石的形成环境，人工培育钻石呢？
于是，在90年代，美国查尔斯科瓦股份有限公司（ Created by Charles &Colvar，Ltd.）利用其高端的科技技术，模拟钻石的形成环境--压力6.0Gpa ，温度为1500摄氏度。历时2年的时间，终于用一个碳晶体培育出第一颗人工培育“钻石”。其成分约99%为碳元素，1%硅元素。所以它也叫碳硅石。该公司并注册了专利，专利号为#5723391/5762896
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